教授大友 明 / Akira Ohtomo
ohtomo.a.aa[at]m.titech.ac.jp
内線:2145 南一号館部屋番号:605
准教授吉松 公平 / Kohei Yoshimatsu
yoshimatsu.k.aa[at]m.titech.ac.jp
内線:2127 南一号館部屋番号:204
事務補佐員井原 朋子 / Tomoko Ihara
ihara.t.ad[at]m.titech.ac.jp
内線:2145 南一号館部屋番号:605
D3是石 和樹 / Kazuki Koreishi
koreishi.k.aa[at]m.titech.ac.jp
内線:2146 南一号館部屋番号:617
D2宮崎 大地 / Daichi Miyazaki
miyazaki.d.ad[at]m.titech.ac.jp
内線:2146 南一号館部屋番号:617
M2菅野 圭太朗 / Keitarou Kanno
kanno.k.ae[at]m.titech.ac.jp
内線:2153 南一号館部屋番号:204
坂本 耀介 / Yosuke Sakamoto
sakamoto.y.az[at]m.titech.ac.jp
内線:2146 南一号館部屋番号:617
高嶋 秀 / Syu Takashima
takashima.s.ad[at]m.titech.ac.jp
内線:2146 南一号館部屋番号:617
周 奕岑 / Zhou Yicen
zhou.y.ao[at]m.titech.ac.jp
内線:2153 南一号館部屋番号:204
M1大友 亜琉 / Airu Ohtomo
otomo.a.462f[at]m.isct.ac.jp
長谷川 和輝 / Kazuki Hasegawa
hasegawa.k.561c[at]m.isct.ac.jp
藤原 穣成 / Josei Fujiwara
fujiwara.j.aa[at]m.titech.ac.jp
内線:2153 南一号館部屋番号:204
B4麻生 和希 / Kazuki Aso
aso.k.94f3[at]m.isct.ac.jp
桐山 広大 / Kodai Kiriyama
kiriyama.k.ac[at]m.titech.ac.jp
内線:2146 南一号館部屋番号:617
高野 海里 / Kairi Takano
takano.k.ak[at]m.titech.ac.jp
内線:2153 南一号館部屋番号:204
竹村 慧 / Satoru Takemura
takemura.s.7884[at]m.isct.ac.jp
長谷川 和菜 / Kazuna Hasegawa
hasegawa.k.535e[at]m.isct.ac.jp
村上 創哉 / Souya Murakami
murakami.s.2a2c[at]m.isct.ac.jp
吉澤 瑛人 /Eito Yoshizawa
yoshizawa.e.16a8[at]m.isct.ac.jp

※ 内線番号の前に03-5734をダイヤルすると外線番号になります
※ メールアドレスは[at]を@に置き換えてください。

旧メンバー

在籍期間氏       名在籍時
の職名		現在の所属先研究テーマ
2010-2016大島 孝仁助教物質・材料研究機構酸化ガリウム系半導体のエレクトロニクス応用
2013-2018吉松 公平助教東北大学 多元物質科学研究所
組頭研究室		新奇強相関電子系酸化物の機能開発
2019-2025相馬 拓人助教東北大学 多元物質科学研究所
組頭研究室		遷移金属化合物の新規強相関物性開拓と電子デバイス応用
卒業年度氏名在籍期間卒業後の
進学・就職先		研究テーマ
2025木下 裕貴B･M三酸化二バナジウム薄膜の新規合成法開発と電子相転移に関する研究
関口 琢朗MAl酸水酸化物薄膜の合成と水素脱離挙動の光学的評価
平出 悠士B･M新規窒化ニオブ系化合物の開拓と超伝導特性の制御
2024北村 尚之B･MLi含有Ti/V酸化物ヘテロ接合における自発的Li移動と電気化学的・光学的手法による評価
金 榮牛B･Mモット絶縁体LaTiO3薄膜のヘテロエピタキシャル成長と輸送特性に関する研究
小穴 裕貴M層状三元系窒化物LiWN2のアンモノリシスによる合成と結晶構造解析
船田 貴光MGa−O系透明アモルファス酸化物半導体の複合アニオン化と薄膜トランジスタに関する研究
細川 紳B･MMo系層状化合物の薄膜合成と相転換に関する研究
AHMAD
LUQMAN
HADI
BIN
SAIFUL
HILMI HADAD		B電荷移動型LiTixV(2-x)O4の薄膜合成と導電率評価
2023小川 茉白B･M電子フィリングとバンド幅制御による強相関電子系バナジウム酸化物薄膜の電子物性制御
本田 裕貴B･M異常原子価Ni/Feイオンを含む人工超格子構造の作製と電子物性
吉田 悠真B･M強磁性Fe4N/超伝導NbN接合の作製と磁気近接効果の評価
2022佐藤 礼B･Mトポケミカル反応による層状酸化物Li1−xNbO2の薄膜合成ならびに電子状態制御とLi組成分析
南野 龍樹B･M鉄系酸化物薄膜のエピタキシャル成長と磁性・電気伝導性における基板ミスカットの効果
矢島 達也B･M･Dリチウム含有遷移金属酸化物の薄膜合成と強相関電子物性に関する研究
山岸 祐太M界面電荷移動型磁性酸化物超格子構造におけるランタノイド置換効果
2021内田 直理B･M溶液処理によるp型透明導電性酸化物薄膜の透過性の向上
佐藤 大知B･M酸化物と窒化物との接合界面におけるNi-N結合形成の検討
張 樹桐B･M強磁性ダブルペロブスカイト型酸化物薄のアンチサイト欠陥制御による磁気特性の変調
2021/09張 楠Mβ-Ga2O3系MOSヘテロ接合の作製と界面欠陥制御
2020亀井 海聖B･M酸化ガリウム表面の洗浄法の開発
斉藤 拓海B･M異種元素を添加した酸化ガリウム系半導体積層構造の電気特性
武内 優B･M交互積層法を用いたペロブスカイト型酸物超格子構造の作製とスピン状態
林 遼一郎B･MIV族金属水素化物薄膜の電子物性評価と機能開拓
横山 竜B･M遷移金属窒化物の薄膜合成と磁気抵抗効果
2019小林 知央B･M超伝導Ti4O7の薄膜合成と電気特性制御
野口 裕太郎B･M磁性遷移金属酸化物超格子構造の作製と低温還元法の検討
青山 航平B不純物の気相・固相同時供給による酸化ガリウム薄膜のドーピング制御
2018若林 諒B･M･D酸化ガリウム系混晶の薄膜成長とヘテロ接合界面の物性評価に関する研究
西 暁登B･MⅣ族金属水素化物の薄膜作製と電気特性
水城 淳B･M複合アニオンチタン化合物の薄膜作製と物性評価
李 政洙Mパワーデバイス実現に向けたβ型酸化ガリウムの薄膜作製と伝導性制御
2017石丸 純也B･M3d遷移金属を含むダブルペロブスカイト型酸化物秩序相の薄膜合成ならびに電子状態とスピン構造
東條 尚志B･MSrTiO3/LaTiOx超格子構造を用いた電気二重層トランジスタの作製
西山 奈菜B･Mパルスレーザ堆積法によるカルシウムフェライトのエピタキシャル成長
栗原 寛B内部光電効果測定装置の開発と光伝導度測定によるバンドギャップの評価
2016岡部 宏和B･Mt2g系ペロブスカイト型酸化物における格子歪みの効果
黒川 輝B･M高次チタン酸化物薄膜の薄膜合成と
新奇な電気伝導の観測
呉 東広平B･M擬VLS法による酸化インジウムのグラフォエピタキシー
服部 真依B･M酸化ガリウム系半導体ヘテロ接合の作製と接合界面の電子物性評価
2015増子 尚徳B･M･D遷移金属酸化物薄膜の作製と光電気化学特性に関する研究
工藤 徹也B･M酸化亜鉛グラフォエピタキシャル薄膜の伝導性評価
大橋 一輝B･M機能性無機薄膜の配向制御に向けた誘導自己組織化造形プロセスの開発
鈴木 崇之B･M軽元素含有遷移金属薄膜の作製と電子物性評価
中村 研太郎Mペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の界面分極が光水分解反応に及ぼす影響
渡会 啓介B･M3dおよび4d遷移金属を含むダブルペロブスカイト型酸化物の合成と磁性発現機構の解明
今別府 秀行BMgO系人工超格子構造の深紫外発光特性
岩崎 佑紀B微細加工技術と斜め蒸着法を用いた超伝導酸化物ナノワイヤの作製
2014丹羽 三冬B･Mリチウムイオン二次電池反応を応用した超伝導Ti酸化物薄膜の電子状態制御
内藤 祐暉BMist-CVD法による深紫外発光ZnAl2O4薄膜の成長
2013入野 将昂B･Mガラス基板表面の微細構造形成による面内配向酸化亜鉛薄膜の作製
野上 顕悟M非平衡ダブルペロブスカイト型酸化物薄膜の合成と物性評価
松山 慶太朗B機能性酸化物薄膜のデバイスプロセス開発
2012向井 章B･M酸化ガリウム系ワイドバンドギャップ半導体薄膜成長と物性評価
横山 耕祐B･M超伝導薄膜を用いた電界効果トランジスタの作製と評価
神永 健一Bβ-Ga2O3単結晶の紫外光電極特性評価
高仲 佑典B高結晶性酸化亜鉛薄膜を用いた電界効果トランジスタの作製と特性評価
2011加藤 智嗣B酸化亜鉛薄膜のPLD成長とフォトリソグラフィによる微細加工
野田 淳BV2O3-Cr2O3系混晶薄膜の作製と光学特性評価
中園 敦巳BMist-CVD法によるGa2O3薄膜の成長とエピタキシャル安定化