教授大友 明 / Akira Ohtomo
ohtomo.a.aa[at]m.titech.ac.jp
内線:2145 南一号館部屋番号:605
准教授吉松 公平 / Kohei Yoshimatsu
yoshimatsu.k.aa[at]m.titech.ac.jp
内線:2127 南一号館部屋番号:204
助教相馬 拓人 / Takuto Soma
soma.t.ab[at]m.titech.ac.jp
内線:2153 南一号館部屋番号:606
事務補佐員井原 朋子 / Tomoko Ihara
ihara.t.ad[at]m.titech.ac.jp
内線:2145 南一号館部屋番号:605
D1是石 和樹 / Kazuki Koreishi
koreishi.k.aa[at]m.titech.ac.jp
内線:2146 南一号館部屋番号:606
M2北村 尚之 / Naoyuki Kitamura
kitamura.t.ac[at]m.titech.ac.jp
内線:2153 南一号館部屋番号:606
KIM YEONG WOO
kim.y.aj[at]m.titech.ac.jp
内線:2146 南一号館部屋番号:617
小穴 裕貴 / Yuki Koana
koana.y.aa[at]m.titech.ac.jp
内線:2146 南一号館部屋番号:617
関口 琢朗 / Takurou Sekiguchi
sekiguchi.t56[at]gmail.com
内線:2146 南一号館部屋番号:606
船田 貴光 / Tkamitsu Funada
funada.t.ab[at]m.titech.ac.jp
内線:2146 南一号館部屋番号:617
細川 紳 / Sin Hosokawa
hosokawa.s.ad[at]m.titech.ac.jp
内線:2146 南一号館部屋番号:617
宮崎 大地 / Daichi Miyazaki
miyazaki.d.ad[at]m.titech.ac.jp
内線:2146 南一号館部屋番号:617
M1木下 裕貴 / Yuki Kinoshita
kinoshita.y.as[at]m.titech.ac.jp
内線:2153 南一号館部屋番号:617
平出 悠士 / Yushi Hiraide
hiraide.y.aa[at]m.titech.ac.jp
内線:2153 南一号館部屋番号:617
B4AHMAD LUQMAN HADI BIN SAIFUL HILMI HADAD
saiful.a.ab[at]m.titech.ac.jp
内線:2153 南一号館部屋番号:606
浅岡 峻哉 / Syunya Asaoka
asaoka.s.ac[at]m.titech.ac.jp
内線:2153 南一号館部屋番号:204
菅野 圭太朗 / Keitarou Kanno
kanno.k.ae[at]m.titech.ac.jp
内線:2153 南一号館部屋番号:204
高嶋 秀 / Syu Takashima
takashima.s.ad[at]m.titech.ac.jp
内線:2153 南一号館部屋番号:617

※ 内線番号の前に03-5734をダイヤルすると外線番号になります
※ メールアドレスは[at]を@に置き換えてください。

旧メンバー

在籍期間氏       名在籍時
の職名		現在の所属先研究テーマ
2010-2016大島 孝仁助教物質・材料研究機構酸化ガリウム系半導体のエレクトロニクス応用
2013-2018吉松 公平助教東北大学 多元物質科学研究所
組頭研究室		新奇強相関電子系酸化物の機能開発
卒業年度氏名在籍期間卒業後の
進学・就職先		研究テーマ
2021内田 直理B･M溶液処理によるp型透明導電性酸化物薄膜の透過性の向上
佐藤 大知B･M酸化物と窒化物との接合界面におけるNi-N結合形成の検討
張 樹桐B･M強磁性ダブルペロブスカイト型酸化物薄のアンチサイト欠陥制御による磁気特性の変調
2021/09張 楠Mβ-Ga2O3系MOSヘテロ接合の作製と界面欠陥制御
2020亀井 海聖B･M酸化ガリウム表面の洗浄法の開発
斉藤 拓海B･M異種元素を添加した酸化ガリウム系半導体積層構造の電気特性
武内 優B･M交互積層法を用いたペロブスカイト型酸物超格子構造の作製とスピン状態
林 遼一郎B･MIV族金属水素化物薄膜の電子物性評価と機能開拓
横山 竜B･M遷移金属窒化物の薄膜合成と磁気抵抗効果
2019小林 知央B･M超伝導Ti4O7の薄膜合成と電気特性制御
野口 裕太郎B･M磁性遷移金属酸化物超格子構造の作製と低温還元法の検討
青山 航平B不純物の気相・固相同時供給による酸化ガリウム薄膜のドーピング制御
2018若林 諒B･M･D酸化ガリウム系混晶の薄膜成長とヘテロ接合界面の物性評価に関する研究
西 暁登B･MⅣ族金属水素化物の薄膜作製と電気特性
水城 淳B･M複合アニオンチタン化合物の薄膜作製と物性評価
李 政洙Mパワーデバイス実現に向けたβ型酸化ガリウムの薄膜作製と伝導性制御
2017石丸 純也B･M3d遷移金属を含むダブルペロブスカイト型酸化物秩序相の薄膜合成ならびに電子状態とスピン構造
東條 尚志B･MSrTiO3/LaTiOx超格子構造を用いた電気二重層トランジスタの作製
西山 奈菜B･Mパルスレーザ堆積法によるカルシウムフェライトのエピタキシャル成長
栗原 寛B内部光電効果測定装置の開発と光伝導度測定によるバンドギャップの評価
2016岡部 宏和B･Mt2g系ペロブスカイト型酸化物における格子歪みの効果
黒川 輝B･M高次チタン酸化物薄膜の薄膜合成と
新奇な電気伝導の観測
呉 東広平B･M擬VLS法による酸化インジウムのグラフォエピタキシー
服部 真依B･M酸化ガリウム系半導体ヘテロ接合の作製と接合界面の電子物性評価
2015増子 尚徳B･M･D遷移金属酸化物薄膜の作製と光電気化学特性に関する研究
工藤 徹也B･M酸化亜鉛グラフォエピタキシャル薄膜の伝導性評価
大橋 一輝B･M機能性無機薄膜の配向制御に向けた誘導自己組織化造形プロセスの開発
鈴木 崇之B･M軽元素含有遷移金属薄膜の作製と電子物性評価
中村 研太郎Mペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の界面分極が光水分解反応に及ぼす影響
渡会 啓介B･M3dおよび4d遷移金属を含むダブルペロブスカイト型酸化物の合成と磁性発現機構の解明
今別府 秀行BMgO系人工超格子構造の深紫外発光特性
岩崎 佑紀B微細加工技術と斜め蒸着法を用いた超伝導酸化物ナノワイヤの作製
2014丹羽 三冬B･Mリチウムイオン二次電池反応を応用した超伝導Ti酸化物薄膜の電子状態制御
内藤 祐暉BMist-CVD法による深紫外発光ZnAl2O4薄膜の成長
2013入野 将昂B･Mガラス基板表面の微細構造形成による面内配向酸化亜鉛薄膜の作製
野上 顕悟M非平衡ダブルペロブスカイト型酸化物薄膜の合成と物性評価
松山 慶太朗B機能性酸化物薄膜のデバイスプロセス開発
2012向井 章B･M酸化ガリウム系ワイドバンドギャップ半導体薄膜成長と物性評価
横山 耕祐B･M超伝導薄膜を用いた電界効果トランジスタの作製と評価
神永 健一Bβ-Ga2O3単結晶の紫外光電極特性評価
高仲 佑典B高結晶性酸化亜鉛薄膜を用いた電界効果トランジスタの作製と特性評価
2011加藤 智嗣B酸化亜鉛薄膜のPLD成長とフォトリソグラフィによる微細加工
野田 淳BV2O3-Cr2O3系混晶薄膜の作製と光学特性評価
中園 敦巳BMist-CVD法によるGa2O3薄膜の成長とエピタキシャル安定化