- 過去に在籍した方々
| 在籍 期間 | 氏 名 | 在籍時の職名 | 現在の所属先 | 研究テーマ |
|---|---|---|---|---|
| 2010- 2016 | 大島 孝仁 | 助教 | 物質・材料研究機構 | 酸化ガリウム系半導体のエレクトロニクス応用 |
| 2013- 2018 | 吉松 公平 | 助教 | 東京科学大学 物質理工学院 応用化学系 | 新奇強相関電子系酸化物の機能開発 |
| 卒業年度 | 氏 名 | 在籍期間 | 卒業後の進学・就職先 | 研究テーマ |
|---|---|---|---|---|
| 2024 | 相馬 拓人 | B･M･D | 東京科学大学物質理工学院応用化学系 | NbO2層における二次元超伝導の研究 |
| 北村 尚之 | B･M | Li含有Ti/V酸化物ヘテロ接合における自発的Li移動と電気化学的・光学的手法による評価 | ||
| 細川 紳 | B･M | Mo系層状化合物の薄膜合成と相転換に関する研究 | ||
| 船田 貴光 | M | Ga−O系透明アモルファス酸化物半導体の複合アニオン化と薄膜トランジスタに関する研究 | ||
| 金 榮牛 | B･M | モット絶縁体LaTiO3薄膜のヘテロエピタキシャル成長と輸送特性に関する研究 | ||
| 2023 | 張 書馨 | M･D | 次元性と組成を制御したモリブデンブロンズ薄膜の構造と電子物性に関する研究 | |
| 周 偉琪 | D | 触媒を利用した結晶性ガリウム酸硫化物薄膜の成長とバンド構造 | ||
| 小川 茉白 | B･M | 電子フィリングとバンド幅制御による強相関電子系バナジウム酸化物薄膜の電子物性制御 | ||
| 本田 裕貴 | B･M | 異常原子価Fe/Niイオンを含む人工超格子構造の作製と電子物性 | ||
| 吉田 悠真 | B･M | 強磁性Fe4N/超伝導NbN接合の作製と磁気近接効果の評価 | ||
| 2022 | 矢島 達也 | B･M･D | リチウム含有遷移金属酸化物の薄膜合成と強相関電子物性に関する研究 | |
| 佐藤 礼 | B･M | トポケミカル反応による層状酸化物Li1−xNbO2の薄膜合成ならびに電子状態制御とLi組成分析 | ||
| 南野 龍樹 | B･M | 鉄系酸化物薄膜のエピタキシャル成長と磁性・電気伝導性における基板ミスカットの効果 | ||
| 山岸 祐太 | B･M | 界面電荷移動型磁性酸化物超格子構造におけるランタノイド置換効果 | ||
| 2021 | 内田 直理 | B･M | 溶液処理によるp型透明導電性酸化物薄膜の透過性の向上 | |
| 佐藤 大知 | B･M | 酸化物と窒化物との接合界面におけるNi-N結合形成の検討 | ||
| 張 樹桐 | B･M | 強磁性ダブルペロブスカイト型酸化物薄のアンチサイト欠陥制御による磁気特性の変調 | ||
| 曹 子陽 | M | IV族金属水素化物および窒化物の薄膜合成と仕事関数評価 | ||
| 2021/09 | 張 楠 | M | β-Ga2O3系MOSヘテロ接合の作製と界面欠陥制御 | |
| 2020 | 亀井 海聖 | B･M | 酸化ガリウム表面の洗浄法の開発 | |
| 斉藤 拓海 | B･M | 異種元素を添加した酸化ガリウム系半導体積層構造の電気特性 | ||
| 武内 優 | B･M | 交互積層法を用いたペロブスカイト型酸物超格子構造の作製とスピン状態 | ||
| 林 遼一郎 | B･M | IV族金属水素化物薄膜の電子物性評価と機能開拓 | ||
| 横山 竜 | B･M | 遷移金属窒化物の薄膜合成と磁気抵抗効果 | ||
| 2019 | 小林 知央 | B･M | 超伝導Ti4O7の薄膜合成と電気特性制御 | |
| 野口 裕太郎 | B･M | 磁性遷移金属酸化物超格子構造の作製と低温還元法の検討 | ||
| 青山 航平 | B | 不純物の気相・固相同時供給による酸化ガリウム薄膜のドーピング制御 | ||
| 2018 | 若林 諒 | B･M･D | 酸化ガリウム系混晶の薄膜成長とヘテロ接合界面の物性評価に関する研究 | |
| 西 暁登 | B･M | Ⅳ族金属水素化物の薄膜作製と電気特性 | ||
| 水城 淳 | B･M | 複合アニオンチタン化合物の薄膜作製と物性評価 | ||
| 李 政洙 | M | パワーデバイス実現に向けたβ型酸化ガリウムの薄膜作製と伝導性制御 | ||
| 2017 | 石丸 純也 | B･M | 3d遷移金属を含むダブルペロブスカイト型酸化物秩序相の薄膜合成ならびに電子状態とスピン構造 | |
| 東條 尚志 | B･M | SrTiO3/LaTiOx超格子構造を用いた電気二重層トランジスタの作製 | ||
| 西山 奈菜 | B･M | パルスレーザ堆積法によるカルシウムフェライトのエピタキシャル成長 | ||
| 栗原 寛 | B | 内部光電効果測定装置の開発と光伝導度測定によるバンドギャップの評価 | ||
| 2016 | 岡部 宏和 | B･M | t2g系ペロブスカイト型酸化物 における格子歪みの効果 | |
| 黒川 輝 | B･M | 高次チタン酸化物薄膜の薄膜合成と 新奇な電気伝導の観測 | ||
| 呉 東広平 | B･M | 擬VLS法による酸化インジウムのグラフォエピタキシー | ||
| 服部 真依 | B･M | 酸化ガリウム系半導体ヘテロ接合の作製と 接合界面の電子物性評価 | ||
| 2015 | 増子 尚徳 | B･M･D | 遷移金属酸化物薄膜の作製と光電気化学特性に関する研究 | |
| 工藤 徹也 | B･M | 酸化亜鉛グラフォエピタキシャル薄膜の伝導性評価 | ||
| 大橋 一輝 | B･M | 機能性無機薄膜の配向制御に向けた誘導自己組織化造形プロセスの開発 | ||
| 鈴木 崇之 | B･M | 軽元素含有遷移金属薄膜の作製と電子物性評価 | ||
| 中村 研太郎 | M | ペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の界面分極が光水分解反応に及ぼす影響 | ||
| 渡会 啓介 | B･M | 3dおよび4d遷移金属を含むダブルペロブスカイト型酸化物の合成と磁性発現機構の解明 | ||
| 今別府 秀行 | B | MgO系人工超格子構造の深紫外発光特性 | ||
| 岩崎 佑紀 | B | 微細加工技術と斜め蒸着法を用いた超伝導酸化物ナノワイヤの作製 | ||
| 2014 | 丹羽 三冬 | B･M | リチウムイオン二次電池反応を応用した超伝導Ti酸化物薄膜の電子状態制御 | |
| 内藤 祐暉 | B | Mist-CVD法による深紫外発光ZnAl2O4薄膜の成長 | ||
| 2013 | 入野 将昂 | B･M | ガラス基板表面の微細構造形成による面内配向酸化亜鉛薄膜の作製 | |
| 野上 顕悟 | M | 非平衡ダブルペロブスカイト型酸化物薄膜の合成と物性評価 | ||
| 松山 慶太朗 | B | 機能性酸化物薄膜のデバイスプロセス開発 | ||
| 2012 | 向井 章 | B･M | 酸化ガリウム系ワイドバンドギャップ半導体薄膜成長と物性評価 | |
| 横山 耕祐 | B･M | 超伝導薄膜を用いた電界効果トランジスタの作製と評価 | ||
| 神永 健一 | B | β-Ga2O3単結晶の紫外光電極特性評価 | ||
| 高仲 佑典 | B | 高結晶性酸化亜鉛薄膜を用いた電界効果トランジスタの作製と特性評価 | ||
| 2011 | 加藤 智嗣 | B | 酸化亜鉛薄膜のPLD成長とフォトリソグラフィによる微細加工 | |
| 野田 淳 | B | V2O3-Cr2O3系混晶薄膜の作製と光学特性評価 | ||
| 中園 敦巳 | B | Mist-CVD法によるGa2O3薄膜の成長とエピタキシャル安定化 |