旧メンバー

  1. 過去に在籍した方々
在籍
期間
氏       名 在籍時の職名 現在の所属先 研究テーマ
2010-
2016
大島 孝仁 助教 物質・材料研究機構 酸化ガリウム系半導体のエレクトロニクス応用
2013-
2018
吉松 公平 助教 東北大学
多元物質科学研究所
組頭研究室
新奇強相関電子系酸化物の機能開発

 

卒業年度 氏                    名 在籍期間 卒業後の進学・就職先 研究テーマ
2021 内田 直理 B・M 溶液処理によるp型透明導電性酸化物薄膜の透過性の向上
佐藤 大知 B・M 酸化物と窒化物との接合界面におけるNi-N結合形成の検討
張 樹桐 B・M 強磁性ダブルペロブスカイト型酸化物薄のアンチサイト欠陥制御による磁気特性の変調
2021/09 張 楠 M β-Ga2O3系MOSヘテロ接合の作製と界面欠陥制御
2020 亀井 海聖 B・M 酸化ガリウム表面の洗浄法の開発
斉藤 拓海 B・M 異種元素を添加した酸化ガリウム系半導体積層構造の電気特性
武内 優 B・M 交互積層法を用いたペロブスカイト型酸物超格子構造の作製とスピン状態
林 遼一郎 B・M IV族金属水素化物薄膜の電子物性評価と機能開拓
横山 竜 B・M 遷移金属窒化物の薄膜合成と磁気抵抗効果
2019 小林 知央 B・M 超伝導Ti4O7の薄膜合成と電気特性制御
野口 裕太郎 B・M 磁性遷移金属酸化物超格子構造の作製と低温還元法の検討
青山 航平 B 不純物の気相・固相同時供給による酸化ガリウム薄膜のドーピング制御
2018 若林 諒 B・M・D 酸化ガリウム系混晶の薄膜成長とヘテロ接合界面の物性評価に関する研究
西 暁登 B・M Ⅳ族金属水素化物の薄膜作製と電気特性
水城 淳 B・M 複合アニオンチタン化合物の薄膜作製と物性評価
李 政洙 M パワーデバイス実現に向けたβ型酸化ガリウムの薄膜作製と伝導性制御
2017 石丸 純也 B・M 3d遷移金属を含むダブルペロブスカイト型酸化物秩序相の薄膜合成ならびに電子状態とスピン構造
東條 尚志 B・M SrTiO3/LaTiOx超格子構造を用いた電気二重層トランジスタの作製
西山 奈菜 B・M パルスレーザ堆積法によるカルシウムフェライトのエピタキシャル成長
栗原 寛 B 内部光電効果測定装置の開発と光伝導度測定によるバンドギャップの評価
2016 岡部 宏和 B・M t2g系ペロブスカイト型酸化物 における格子歪みの効果
黒川 輝 B・M 高次チタン酸化物薄膜の薄膜合成と 新奇な電気伝導の観測
呉 東広平 B・M 擬VLS法による酸化インジウムのグラフォエピタキシー
服部 真依 B・M 酸化ガリウム系半導体ヘテロ接合の作製と 接合界面の電子物性評価
2015 増子 尚徳 B・M・D 遷移金属酸化物薄膜の作製と光電気化学特性に関する研究
工藤 徹也 B・M 酸化亜鉛グラフォエピタキシャル薄膜の伝導性評価
大橋 一輝 B・M 機能性無機薄膜の配向制御に向けた誘導自己組織化造形プロセスの開発
鈴木 崇之 B・M 軽元素含有遷移金属薄膜の作製と電子物性評価
中村 研太郎 M ペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の界面分極が光水分解反応に及ぼす影響
渡会 啓介 B・M 3dおよび4d遷移金属を含むダブルペロブスカイト型酸化物の合成と磁性発現機構の解明
今別府 秀行 B MgO系人工超格子構造の深紫外発光特性
岩崎 佑紀 B 微細加工技術と斜め蒸着法を用いた超伝導酸化物ナノワイヤの作製
2014 丹羽 三冬 B・M リチウムイオン二次電池反応を応用した超伝導Ti酸化物薄膜の電子状態制御
内藤 祐暉 B Mist-CVD法による深紫外発光ZnAl2O4薄膜の成長
2013 入野 将昂 B・M ガラス基板表面の微細構造形成による面内配向酸化亜鉛薄膜の作製
野上 顕悟 M 非平衡ダブルペロブスカイト型酸化物薄膜の合成と物性評価
松山 慶太朗 B 機能性酸化物薄膜のデバイスプロセス開発
2012 向井 章 B・M 酸化ガリウム系ワイドバンドギャップ半導体薄膜成長と物性評価
横山 耕祐 B・M 超伝導薄膜を用いた電界効果トランジスタの作製と評価
神永 健一 B β-Ga2O3単結晶の紫外光電極特性評価
高仲 佑典 B 高結晶性酸化亜鉛薄膜を用いた電界効果トランジスタの作製と特性評価
2011 加藤 智嗣 B 酸化亜鉛薄膜のPLD成長とフォトリソグラフィによる微細加工
野田 淳 B V2O3-Cr2O3系混晶薄膜の作製と光学特性評価
中園 敦巳 B Mist-CVD法によるGa2O3薄膜の成長とエピタキシャル安定化